[发明专利]一种可调值的LTCC基板内埋电阻的设计方法有效
申请号: | 202011054827.2 | 申请日: | 2020-09-28 |
公开(公告)号: | CN112185821B | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 刘发;徐鑫;肖刚;赵国良;张健 | 申请(专利权)人: | 西安微电子技术研究所 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 王艾华 |
地址: | 710065 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种可调值的LTCC基板内埋电阻的设计方法,通过优化内埋电阻的设计,将内埋电阻设计为串联的电阻网络,并将电阻间的互连关系采用层间互连呈现于表层,即可为基片底部表层,亦可为顶部表层,最终通过激光对表层的互连进行选择性的打断,从而实现对内埋电阻的调值,进而提高内埋电阻的精度及基片的成品率。在工艺平台不变的情况下,采用优化内埋电阻设计的方法,将内埋电阻设计为串联的电阻网络,并将电阻间的互连关系采用层间互连呈现于表层,最终通过激光对表层的互连进行选择性的打断,从而实现对内埋电阻的调值,提高内埋电阻的精度及基片的成品率。对于推广内埋电阻的使用,提高LTCC基板的集成度及成品率具有显著的效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 调值 ltcc 基板内埋 电阻 设计 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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