[发明专利]存储器器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202011060573.5 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112701161A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 赖昇志;林仲德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L27/1159;H01L27/11597;H01L27/11587 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的各个实施例针对金属‑铁电‑绝缘体‑半导体(MFIS)存储器器件和用于形成MFIS存储器器件的方法。根据MFIS存储器器件的一些实施例，下部源极/漏极区域和上部源极/漏极区域垂直堆叠。半导体沟道位于下部源极/漏极区域上面并且位于上部源极/漏极区域下面。半导体沟道从下部源极/漏极区域延伸至上部源极/漏极区域。控制栅电极沿着半导体沟道的侧壁并且还沿着下部源极/漏极区域和上部源极/漏极区域的单独的侧壁延伸。栅极介电层和铁电层将控制栅电极与半导体沟道以及下部源极/漏极区域和上部源极/漏极区域分隔开。本发明的实施例涉及存储器器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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