[发明专利]磁阻随机存取存储器件和嵌入式装置在审
| 申请号： | 202011061324.8 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112825343A | 公开（公告）日： | 2021-05-21 |
| 发明（设计）人： | 金禹珍;金容才;李吉镐 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;王占杰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种磁阻随机存取存储器件和一种嵌入式装置。所述磁阻随机存取存储器件包括：第一绝缘中间层，位于衬底上；下电极接触，穿过所述第一绝缘中间层；第一结构，分别位于所述下电极接触上，每个所述第一结构包括堆叠的下电极、磁隧道结(MTJ)结构和上电极；第二绝缘中间层，位于所述第一结构和所述第一绝缘中间层上，所述第二绝缘中间层填充所述第一结构之间的空间；第三绝缘中间层，直接接触所述第二绝缘中间层，所述第三绝缘中间层的介电常数低于所述第二绝缘中间层的介电常数；和位线，穿过所述第三绝缘中间层和所述第二绝缘中间层，所述位线接触所述第一结构中的一个第一结构的所述上电极。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 随机存取存储器 嵌入式 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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