[发明专利]一种刻蚀设备在审
| 申请号： | 202011063042.1 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN114334703A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 吕光强 | 申请（专利权）人： | 矽磐微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 张相钦 |
| 地址： | 401331 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种刻蚀设备。其包括刻蚀液箱、传送装置及压合装置。其中，刻蚀液箱具有盛放刻蚀液的刻蚀液腔，上端设有与刻蚀液腔连通的刻蚀开口。传送装置能够将待刻蚀的产品传送至刻蚀开口上方。压合装置用于将产品压合于所述刻蚀开口处，压合装置的至少一部分设于所述刻蚀开口正上方以外的区域。上述刻蚀设备，其压合装置的至少一部分设于所述刻蚀开口正上方以外的区域，能够减少甚至避免压合装置运动所产生的尘屑落入刻蚀液腔而污染刻蚀液，且方便检修及维护。另外，该刻蚀设备自身设有传送装置，相较于通过外置装置对产品进行传输，方便产品传送，节省刻蚀所需设备的整体占用空间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 设备 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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