[发明专利]一种抗dv/dt的SGT器件在审
| 申请号： | 202011065162.5 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN111987074A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 郭乔;林泳浩;李伟聪 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 彭西洋;袁曼曼 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种抗dv/dt的SGT器件，包括：第一导电类型的衬底、位于第一导电类型的衬底的上表面的第一导电类型的外延层、位于第一导电类型的外延层内的沟槽、第一介质层、位于沟槽底部的第一导电类型的轻掺杂体区、位于第一介质层外围的第一导电类型的重掺杂体区、位于第一导电类型的外延层侧面上方的源极金属、位于沟槽上表面的第二介质层，以及位于沟槽内的多晶硅栅极和屏蔽栅极。本发明可以增大漏源电容Cds，减少开关震荡，从而减少器件的电压震荡dv/dt失效可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dv dt sgt 器件 | ||
【主权项】：
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