[发明专利]石墨基座和MOCVD设备有效
| 申请号： | 202011065395.5 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112366174B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 葛永晖;王慧;陈张笑雄;郭炳磊;王群;刘春杨;梅劲;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/67;H01L33/00;C23C16/18;C23C16/458 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种石墨基座和MOCVD设备，属于半导体技术领域。所述石墨基座为圆盘形结构，所述石墨基座的一个圆形端面上设有多个圆形槽和至少一个三棱锥形凸起；所述多个圆形槽的中心分布在至少两个圆环内，每个所述圆环的圆心与所述圆形端面的圆心重合；所述至少一个三棱锥形凸起分布在至少一个所述圆环远离所述石墨基座的中心的区域内，每个所述三棱锥形凸起位于相邻的两个所述圆形槽之间，每个所述三棱锥形凸起所位于的两个所述圆形槽分布在同一个所述圆环内。本公开在石墨基座设有多个圆形槽的圆形端面上增设至少一个三棱锥形凸起，可以减少圆形槽远离石墨基座中心的区域的反应气体，提高外延片的发光均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 基座 mocvd 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
