[发明专利]一种新型柔性TFT阵列基板结构及其制作方法

摘要

本发明提供了一种新型柔性TFT阵列基板结构及其制作方法，在缓冲层上沉积初始化IGZO薄膜，并在所述初始化IGZO薄膜上涂布PI薄膜，得到第一IGZO薄膜在所述第一IGZO薄膜上涂布光阻后，对涂布了光阻的所述第一IGZO薄膜进行蚀刻；待涂布了光阻的所述第一IGZO薄膜蚀刻完成后，从蚀刻后的所述第一IGZO薄膜上剥离所述光阻，得到第二IGZO薄膜；所述第二IGZO薄膜包括所述PI薄膜；本发明使用PI薄膜与光阻共同在蚀刻阶段对IGZO薄膜进行保护，并在剥离光阻时使用PI薄膜将IGZO薄膜与光刻胶剥离液隔开，不在蚀刻IGZO薄膜时保护了不需蚀刻的部分，且避免了剥离光刻胶时对IGZO薄膜造成的影响，减小了对IGZO膜质的伤害，保证了电子迁移率，能够提高TFT器件的稳定性，进一步保证良好的显示效果。