[发明专利]晶体管器件在审
申请号: | 202011071730.2 | 申请日: | 2020-10-09 |
公开(公告)号: | CN112687683A | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | H·梅尔兹纳;M·丹克尔;P·伊尔斯格勒;S·施密特;H-J·舒尔策 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088;H01L27/095;H01L27/098;H01L27/082;H01L29/423;H01L29/78;H01L29/80;H01L29/739 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 闫昊 |
地址: | 德国诺伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了一种晶体管器件。该晶体管器件包括:半导体本体(100);多个单元区域(1),各自包括多个晶体管单元(10),其至少部分地集成在半导体本体(100)中并且各自包括相应的栅极电极(16);多个布线通道(6),各自布置在两个或更多个单元区域(1)之间;栅极焊盘(31),布置在半导体本体的第一表面(101)上方;和多个栅极流道(2),各自耦合至栅极焊盘并且各自布置在多个布线通道之一中。多个栅极流道中的每个与多个单元区域之一相关联,使得多个单元区域中的每个中的栅极电极连接到相关联的栅极流道,并且多个布线通道中的每个包括两个或更多个平行且彼此间隔开布线的栅极流道。 | ||
搜索关键词: | 晶体管 器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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