[发明专利]一种刻蚀工艺及3D NAND的制作工艺

摘要

本发明提供了一种刻蚀工艺及3D NAND的制作工艺。该刻蚀工艺包括：步骤S1，提供具有沟道孔的衬底堆叠结构并在沟道孔的底部形成外延层；步骤S2，在沟道孔的侧壁和衬底堆叠结构的顶部设置功能层结构，功能层结构的多晶硅层裸露；步骤S3，采用干法刻蚀对功能层结构底部的多晶硅层进行刻蚀，且干法刻蚀为等离子体刻蚀，等离子体刻蚀采用源射频功率源和偏压射频功率源同步脉冲进行等离子体发生；以及步骤S4，采用干法化学刻蚀对沟道孔底部的功能层结构进行刻蚀以使外延层裸露。采用源射频功率源和偏压射频功率源同步脉冲进行等离子体发生，有效缓解了侧壁多晶硅层的多余解离，保证了刻蚀后侧壁多晶硅层的厚度。