[发明专利]具有包括多个区的漏极阱的集成电路在审
| 申请号： | 202011082905.X | 申请日： | 2020-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN114068712A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 陈正龙 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 陈蒙 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及具有包括多个区的漏极阱的集成电路。一种集成电路包括：漂移区域，在衬底中；漏极，在衬底中，该漏极包括掺杂漏极阱，该掺杂漏极阱包括：第一区，具有第一浓度的第一掺杂剂；以及第二区，具有第二浓度的第一掺杂剂，其中第一浓度小于第二浓度；以及栅极电极，在漂移区域之上并且在与衬底的顶表面平行的方向上与掺杂漏极阱分开大于0的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 包括 多个区 漏极阱 集成电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（中国）有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（中国）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011082905.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：延迟控制装置和可调延迟装置
- 下一篇：半导体器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
