[发明专利]一种沟槽型MOSFET的制造方法及其结构有效
| 申请号： | 202011087314.1 | 申请日： | 2020-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN111933529B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 杨国江;张胜凯;于世珩 | 申请（专利权）人： | 江苏长晶科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京华讯知识产权代理事务所(普通合伙) 32413 | 代理人： | 王文岩;刘小吉 |
| 地址： | 210000 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种沟槽型MOSFET的制造方法及其结构。该方法中形成栅极导体与屏蔽导体之间绝缘层的方法，包括如下步骤：在沟槽侧壁、屏蔽导体上方以及外延半导体层表面，形成一层第一氧化物；在所述第一氧化物表面形成一层氮化物；在沟槽内部以及外延半导体层上氮化物的上方沉积第二氧化物；将所述外延半导体层上氮化物的上方沉积的第二氧化物去除；将沟槽上部的第二氧化物去除；将外延半导体层上方以及沟槽上部的氮化物去除；将外延半导体层表面以及沟槽上部的第一氧化物去除。采用该方法得到的栅极导体与屏蔽导体之间三层的绝缘层结构，其厚度将变得更厚且更易于控制，有助于改善寄生输入电容，进而改善器件在应用时的切换损失。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 mosfet 制造 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
