[发明专利]存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法

摘要

本申请案涉及存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括形成包括垂直交替的第一层及第二层的堆叠。横向地在直接横向邻近的存储器块区之间且纵向地沿着所述直接横向邻近的存储器块区将介入材料形成到所述堆叠中。所述介入材料的所述形成包括横向地在所述直接横向邻近的存储器块区之间且纵向间隔地沿着所述直接横向邻近的存储器块区形成柱。所述柱个别地延伸通过所述第一层及所述第二层中的每一者中的多者。在形成所述柱之后，沿着直接纵向邻近的所述柱且在所述直接纵向邻近的所述柱之间个别地形成介入开口。在所述介入开口中形成填充材料。揭示包含结构的其它实施例。