[发明专利]半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 202011093528.X | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN111933696B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 阳清;崔助凤;金起準 | 申请（专利权）人： | 南京晶驱集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/06;H01L27/092;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 210046 江苏省南京市栖霞区迈*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区域，所述NMOS区域内定义有有源区，且所述半导体衬底上形成有栅极材料层，通过在NMOS区域中的有源区之外的区域对所述栅极材料层进行N型离子注入，然后对所述半导体衬底进行退火处理，使注入栅极材料层的N型离子从所述NMOS区域中的有源区之外的区域向所述NMOS区域中的有源区扩散，以实现N型预掺杂。本发明通过高温退火使NMOS区域中的有源区之外的N型离子扩散至有源区，避免N型离子直接注入对栅极结构的损伤，进而避免出现栅极多晶硅晶粒增多的现象，有效抑制栅漏电，提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京晶驱集成电路有限公司，未经南京晶驱集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011093528.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
