[发明专利]一种硅片质量检测方法、分类方法在审
| 申请号： | 202011095778.7 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN112447544A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 吕锦滇;朱安全;张欣;林纲正;陈刚 | 申请（专利权）人： | 浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;B07C5/342 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 李素兰;何键云 |
| 地址： | 322009 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种硅片质量检测方法、分类方法，其中，硅片质量检测方法包括以下步骤：一、对硅片进行清洗，在清洗后的硅片双面形成钝化膜并进行烧结处理，得到半成品；二、对半成品进行第一次少子寿命测试和光致发光测试，得到第一少子寿命值为A |
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| 搜索关键词： | 一种 硅片 质量 检测 方法 分类 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
