[发明专利]阵列基板及其制备方法在审
申请号: | 202011096584.9 | 申请日: | 2020-10-14 |
公开(公告)号: | CN112259556A | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 艾飞;宋继越;宋德伟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G06K9/00 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 何志军 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种阵列基板及其制备方法,阵列基板包括基板、有源层、第一栅极绝缘层、栅极层、层间介质层、感光层以及遮挡层,有源层设置于基板上,有源层包括半导体部和第一掺杂部,第一掺杂部设置于半导体部的两侧,第一栅极绝缘层覆盖基板以及有源层,栅极层设置于第一栅极绝缘层上,栅极层位于半导体部之上,层间介质层覆盖第一栅极绝缘层以及栅极层,层间介质层包括第一通孔,第一通孔贯穿第一栅极绝缘层以及层间介质层以暴露第一掺杂部,感光层设置于第一通孔以及层间介质层上,遮挡层设置于感光层上。通过将感光层设置在有源层的第一掺杂部上,降低了生产成本,并提高了阵列基板的良率。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的