[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202011099855.6 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN113036037A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 朴正敏;金海龙;朴影根 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李敬文 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
半导体器件包括电容器，该电容器包括下电极、上电极以及在下电极和上电极之间的介电层。下电极包括ABO |
||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011099855.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
