[发明专利]半导体器件结构及其制备方法

摘要

本发明半导体器件结构及其制备方法，器件结构包括：半导体衬底、形成在半导体衬底中的有源区和隔离结构、栅极结构以及虚拟结构，虚拟结构至少位于相邻有源区之间的隔离结构上，并与栅极结构之间具有间距。本发明通过在相邻有源区之间的隔离结构上制备虚拟结构，并可以进一步延伸至相邻的源极掺杂区或漏极掺杂区，可以阻挡部分离子注入，有效提高位线存储器的击穿电压，降低击穿风险，虚拟结构可以与栅极结构同时制备，不需要改变任何工艺条件和步骤，工艺简单可行，本发明的虚拟结构可以不额外增加器件面积。