[发明专利]三维存储器的制造方法有效
| 申请号： | 202011105053.1 | 申请日： | 2020-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN112018238B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王军红;张颖玲 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供了一种三维存储器的制造方法，包括：形成四层堆叠的存储单元模块的三维存储器；其中，每一层存储单元模块的制造方法包括：形成第一地址线材料层；在所述第一地址线材料层上形成多个存储单元；在所述多个存储单元上方形成第二地址线材料层；其中，所述第一地址线材料层的地址线在第一平面上的投影和所述第二地址线材料层的地址线在所述第一平面上的投影互相垂直；不同存储单元模块中的各第一地址线材料层的地址线在所述第一平面上的投影部分重合；不同存储单元模块中的各第二地址线材料层的地址线在所述第一平面上的投影部分重合。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江先进存储产业创新中心有限责任公司，未经长江先进存储产业创新中心有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011105053.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
