[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括基底，基底上设置有多条位线，多条位线在基底上沿第一方向间隔排布；多个隔离栅结构，隔离栅结构位于相邻的位线之间，且多个隔离栅结构在基底上沿第二方向间隔排布；存储节点接触结构，存储节点接触结构位于相邻的隔离栅结构之间，且存储节点接触结构的底部延伸至基底中；其中，隔离栅结构包括第一隔离部和包围在第一隔离部外周的第二隔离部；第一隔离部的顶表面不低于位线的顶表面。本发明能够减少存储节点接触结构之间的电感耦合效应，提升半导体器件中的电荷存储能力，优化半导体器件的存储稳定性和可靠性。