[发明专利]被加工物的加工方法在审
| 申请号： | 202011108999.3 | 申请日： | 2020-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112768406A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 山田洋照 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供被加工物的加工方法，被加工物(晶片(1))在正面(1a)上设定有分割预定线(3)且在背面(1b)上层叠有金属膜(21)，该方法包含：槽形成步骤，在被加工物的正面上沿着分割预定线形成未到达金属膜的槽(30)；第一保护膜形成步骤，在实施了槽形成步骤之后，利用浸入槽的粘度的第一保护剂形成对被加工物的正面和槽的内壁面进行包覆的第一保护膜(41)；第二保护膜形成步骤，在实施了第一保护膜形成步骤之后，利用第二保护剂形成对被加工物的至少正面进行包覆的第二保护膜(42)；和激光加工步骤，在实施了第二保护膜形成步骤之后，从被加工物的正面侧沿着槽照射对于被加工物具有吸收性的波长的激光束(94)而将金属膜断开。 | ||
| 搜索关键词： | 加工 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
