[发明专利]一种高亮度LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 202011116153.4 | 申请日： | 2020-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN112242461A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿;李进 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/36;H01L33/40 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高亮度LED芯片及其制作方法，所述制作方法包括：一、在衬底上形成外延层；二、采用蒸镀或溅射的方法在外延层上形成电流扩展条，所述电流扩展条包括依次设置的底层、反射层、第一保护层、第二保护层和打线层；三、采用蒸镀或溅射的方法形成金属叠层结构，其中，沉积在外延层上的金属叠层结构为焊盘，用于封装打线，沉积在电流扩展条连接段上的金属叠层结构为连接层，用于连接焊盘和电流扩展条，所述焊盘和连接层同时形成，结构相同并为整体结构。本发明采用高强度的焊盘和连接层、以及高反射率的电流扩展条相结合来组成电极结构，发挥两者的优点，既可以提高芯片的亮度和电流扩展性，又不影响封装打线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 亮度 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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