[发明专利]晶圆的测试结构在审
| 申请号： | 202011131476.0 | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN112259527A | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 周源;张小麟;王超;李静怡;朱林迪;梁维佳;常东旭;杨棂鑫;于江勇 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;杨思雨 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本专利申请公开了一种晶圆的测试结构，该晶圆包括至少一个半导体器件，半导体器件具有套刻的第一结构与第二结构；该测试结构包括：第一导电部；以及第二导电部，与第一导电部构成第一电容；其中，沿第一方向，随着第一结构与第二结构之间相对位置的偏差增大，第一导电部在第二导电部上的正投影面积递增或递减，使第一电容的电容量随之变化；第一方向垂直于晶圆的厚度方向。本申请提供的测试结构，以两个导电部之间构成的电容的电容量变化，体现半导体器件两个套刻结构之间相对位置的偏差，这样在完成器件制程后可通过电容量确定半导体器件的两个套刻结构之间的相对偏差距离与方向，解决了传统光学测试方法难以在制程完成后确定套刻精度的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 结构 | ||
【主权项】：
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