[发明专利]一种半导体结构的制造方法有效
| 申请号： | 202011135359.1 | 申请日： | 2020-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN111968909B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 温育杰;叶李欣;蔡杰良;李秀伟;李毛劝 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林凡燕 |
| 地址： | 102199 北京市大兴区经济技术开发*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体结构的制造方法，包括：将多个衬底置于沉积腔体中，所述腔体至少包括第一区域，第二区域和第三区域，所述第三区域位于所述腔体的顶部，所述第二区域位于所述腔体的中部，所述第一区域位于所述腔体的底部；将位于所述第一区域上的所述衬底定义为第一衬底，将位于所述第二区域上的所述衬底定义为第二衬底，将位于第三区域上的所述衬底定义为第三衬底；形成多晶硅层于所述第一衬底，所述第二衬底和所述第三衬底上；分别对不同区域的所述多晶硅层进行掺杂处理，以形成第一多晶硅掺杂层，第二多晶硅掺杂层和第三多晶硅掺杂层。该半导体结构的制造方法可以缩小第一半导体结构，第二半导体结构和第三半导体结构之间的电阻差异。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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