[发明专利]一种SiC MOSFET器件元胞及其制造方法在审
| 申请号： | 202011138568.1 | 申请日： | 2020-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN112086507A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 易波;伍争;魏文静;张千;向勇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人： | 李蕊 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC MOSFET器件元胞及其制造方法，针对槽栅SiC MOSFET槽栅底部的电场屏蔽区接地效果不佳从而限制芯片面积，增大动态损耗以及体二极管导通压降大，反向恢复电荷大的缺点，提出一种直接接地的埋层电场屏蔽区技术方案。该发明更有效地对槽栅氧化层形成电场保护，并且通过集成低漏电的反并联肖特基二极管实现低反向导通压降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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