[发明专利]一种逻辑电路的生成方法、生成装置、门电路和逻辑电路在审

专利信息
申请号: 202011150124.X 申请日: 2020-10-23
公开(公告)号: CN112468134A 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: 叶乐;王志轩;黄芊芊;王阳元;黄如 申请(专利权)人: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
主分类号: H03K19/003 分类号: H03K19/003
代理公司: 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 代理人: 刘广达
地址: 300452 天津市滨海新*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 本申请公开了一种逻辑电路的生成方法、生成装置、门电路和逻辑电路,逻辑电路的生成方法包括:设计并生成初始隧穿场效应晶体管逻辑电路,初始隧穿场效应晶体管逻辑电路包括至少一个逻辑门;确定逻辑门的串联支路中与逻辑门的输入节点连接的第一隧穿场效应晶体管;使用场效应晶体管替换第一隧穿场效应晶体管;在逻辑门的串联支路与逻辑门的输出节点之间增加第二隧穿场效应晶体管,生成逻辑电路。能够克服隧穿场效应晶体管在串联支路中造成的电流衰减过大的缺陷,以及克服替换入逻辑门中的场效应晶体管所导致的漏电流增大的缺陷,从而逻辑门由于其串联支路中电流衰减过大导致的性能、噪声容限等发生退化,提高逻辑电路的性能。
搜索关键词: 一种 逻辑电路 生成 方法 装置 门电路
【主权项】:
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