[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202011154069.1 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN112103267A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 韦仕贡;谢小明;陈兆震 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括衬底，衬底中设有有源区，有源区位于衬底顶部；还包括：介质层，位于衬底的顶表面上，介质层中设有贯穿孔，贯穿孔位于有源区的顶表面上，介质层远离有源区部分的厚度大于靠近有源区部分的厚度；金属层，位于介质层的顶表面上，经介质层的侧表面向下延伸至有源区上方，并填充贯穿孔以与有源区形成电连接。该半导体器件及其制造方法，其衬底表面设有介质层，该介质层在对应有源区的位置形成有贯穿孔，且介质层靠近有源区部分的厚度小于远离有源区部分的厚度，使金属层能经由介质层的侧表面延伸至有源区，填充贯穿孔形成电连接，简化了器件结构和制作工艺，降低了器件加工难度，提升产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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