[发明专利]线性检测系统在审
| 申请号： | 202011155085.2 | 申请日： | 2015-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN112530822A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 阿萨夫·施勒岑杰;钟声德 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/26;G01N21/95;G01N21/64 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开内容的实施方式一般涉及全面、可扩充基板检测系统。检测系统包括多个测量单元，这些测量单元经调适以检测、探测或测量基板的一或更多个特征，这些特征包括厚度、电阻率、锯痕、几何形状、污点、碎屑、微裂纹、晶体分数及光致发光。可使用检测系统鉴定基板上的缺陷，并在将基板处理成太阳能电池之前评估利用基板生产的太阳能电池的太阳能电池效率。可在轨道或输送装置上将基板移送穿过测量单元之间的检测系统，且随后基于检测数据将这些基板分类。 | ||
| 搜索关键词： | 线性 检测 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011155085.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：冲击吸收设备
- 下一篇：一种中子能谱测量装置及其测量方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
