[发明专利]一种低缺陷碲锌镉晶体的制备方法和装置在审
| 申请号： | 202011156086.9 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN113403689A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 姬荣斌;姜军;赵增林;陈少璠;赵文;庹梦寒;袁绶章;王静宇;刘永传;孔金丞 | 申请（专利权）人： | 昆明物理研究所 |
| 主分类号： | C30B29/48 | 分类号： | C30B29/48;C30B11/00 |
| 代理公司： | 昆明今威专利商标代理有限公司 53115 | 代理人： | 赛晓刚 |
| 地址： | 650221 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种低缺陷碲锌镉晶体的制备方法和装置，该装置包括非等径的管式炉体、具有Cd分压容器的石英安瓿和pBN坩埚，所述非等径的管式炉体包括炉体外壳、不少于10段的加热温区以及加热温区之间的隔热板、炉膛上下两端的密封堵头和晶体生长支撑架，每个加热温区设有与电源连通的电极和电缆、温控开关及温度控制系统。该方法包括配料、合成、换管、装炉、晶体生长、降温、切片等步骤。本发明的装置能稳定、重复的进行碲锌镉单晶制备。利用该设备和方法已经制备出高质量、低缺陷的碲锌镉晶体，制备的碲锌镉片面积达到70mm×70mm；沉积相缺陷尺寸≤1μm，密度≤3000cm |
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| 搜索关键词： | 一种 缺陷 碲锌镉 晶体 制备 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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