[发明专利]一种VCSEL阵列芯片P面连接金属的制备方法

摘要

本发明涉及芯片制备技术领域，公开了一种VCSEL阵列芯片P面连接金属的制备方法，包括以下步骤，S1、在晶圆表面镀上厚度为H1的TiW合金，形成镀膜晶圆；S2、在镀膜晶圆的出光区上进行上胶、光刻和显影，使得镀膜晶圆的出光区表面形成一层光刻胶；S3、将形成光刻胶的镀膜晶圆整个表面进行电镀镀金，厚度为需要在晶圆上最终的镀金厚度H2；此步骤中，由于光刻胶不导电，所以出光区被光刻胶覆盖不会镀上金层，只有需要做连接金属的地方会被镀上金层；S4、除去出光区表面的光刻胶；S5、使用TiW合金蚀刻液将出光区的TiW种子层去除，完成整个VCSEL芯片P面连接金属的制备。本发明能够提高贵金属的利用率，降低生产成本。