[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202011158240.6 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN114496922A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 纪世良 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 吴凡 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括相间隔的第一区域和第二区域，位于第一区域的堆叠结构作为第一堆叠结构，位于第二区域的堆叠结构作为第二堆叠结构；形成保形覆盖第一堆叠结构、第二堆叠结构，且包围第一堆叠结构和第二堆叠结构之间间隔区域的第一介电层，在第一堆叠结构和第二堆叠结构之间形成空气墙；在第一堆叠结构和第二堆叠结构背离所述空气墙的一侧形成第二介电层。本申请实施例，形成介电墙的过程中，第一堆叠结构和第二堆叠结构远离介电墙一侧的第一介电层和第二介电层，能够给第一堆叠结构和第二堆叠结构提供支撑，使得第一堆叠结构和第二堆叠结构的形貌质量好，有利于提高半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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