[发明专利]隔离结构的制作方法、DAC器件及其制作方法

摘要

本发明提供一种隔离结构的制作方法、DAC器件及其制作方法。所述隔离结构的制作方法包括：采用干法刻蚀工艺在基底上形成第一沟槽；采用湿法刻蚀工艺，继续刻蚀基底，使第一沟槽在基底表面以下的范围增大而得到第二沟槽，第二沟槽的底面宽度大于开口宽度；再在第二沟槽中填充隔离介质以形成多个隔离结构，隔离结构的上表面宽度小于下表面宽度。由于隔离结构的上表面宽度小于下表面宽度，可以增大隔离结构间有源区的有效长度，有助于提高器件的集成密度和相邻有源区间的隔离效果。所述DAC器件及其制作方法中，DAC器件的基底中形成有多个隔离结构，部分隔离结构隔离高压区和低压区，所述隔离结构采用了上述隔离结构的制作方法形成。