[发明专利]一种高压LED芯片的深刻蚀方法有效
| 申请号： | 202011163378.5 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN112349818B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 黄斌斌;罗坤;李永同;李运军;刘兆 | 申请（专利权）人： | 江西乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李晓光 |
| 地址： | 330103 江西省南*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种高压LED芯片的深刻蚀方法，采用两次匀胶两次曝光两次显影等操作之后，以具有所述预设角度斜面的正性光刻胶为掩膜，对所述高压LED芯片的桥接处和所述切割道进行深刻蚀处理，以及以具有垂直面的负性光刻胶为掩膜，对所述高压LED芯片的非桥接处同时进行深刻蚀处理。实现了一次深刻蚀出不同角度和不同线宽的隔离沟槽，以及在不改变切割道宽度的情况下实现全刻开处理，且具有一定的倒角，从而有效增加了高压LED芯片的发光面积占比，增加芯片的出光效率以及COW无需设置特殊测试芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 led 芯片 深刻 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西乾照光电有限公司，未经江西乾照光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011163378.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种抛光垫及其制备方法、应用
- 下一篇：分布式服务签退方法及设备
