[发明专利]一种高功率VCSEL阵列芯片倒装焊封装结构及制备方法有效
| 申请号： | 202011164067.0 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN112350144B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 王智勇;李尉;代京京;兰天 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01S5/028;H01S5/42 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 朱鹏 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高功率VCSEL阵列芯片倒装焊封装结构及制备方法，包括：底发射二维周期性VCSEL阵列芯片、热沉和多层单晶反射膜层；底发射二维周期性VCSEL阵列芯片包括衬底层和设于衬底层底部的二维周期性VCSEL发光单元；VCSEL发光单元的底部通过焊料层与热沉相连，衬底层的顶部设有多层单晶反射膜层；其中，热沉的热膨胀系数与衬底层的热膨胀系数相当，单晶反射膜层具有与衬底层相同的晶格结构。本发明热沉的热膨胀系数与VCSEL阵列芯片的衬底层的热膨胀系数相当，其可减小芯片内部热应力，抑制芯片受热发生形变；在衬底层顶部制备与衬底层晶格相匹配的多层单晶膜层，提高单晶反射层间以及与衬底层之间的粘附力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 vcsel 阵列 芯片 倒装 封装 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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