[发明专利]分栅快闪存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202011164347.1 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN112234096A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 王旭峰;于涛;李冰寒 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种分栅快闪存储器及其制备方法。所述分栅快闪存储器包括：衬底，所述衬底上形成有浮栅层。控制栅结构，所述控制栅结构包括第一L型部分和第二L型部分，第一L型部分和第二L型部分相对且间隔覆盖于浮栅上；且在控制栅结构的顶表面上覆盖有金属硅化层。设置在控制栅结构和浮栅层两侧的字线栅。以及，擦除栅，所述擦除栅贯穿控制栅结构和浮栅层。其中，第一L型部分和第二L型部分设置于擦除栅两侧。因此，本发明通过设置控制栅结构，不仅提高编程效率，还在擦除时，通过对控制栅结构施加一定的负电压，以降低擦除栅的电压，便于电路设计。且通过金属硅化层直接将控制栅结构接出，以降低器件中电阻电容的传输延迟，进而提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 分栅快 闪存 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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