[发明专利]梯度变温合成CdSe量子点的方法及CdSe量子点有效
| 申请号： | 202011164910.5 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN114479862B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 庞代文;朱小波;朱东亮;董博然;郭三维;徐越;朱晓亮 | 申请（专利权）人： | 武汉珈源同创科技有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京隆源天恒知识产权代理有限公司 11473 | 代理人： | 吴航 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖新技术开*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种梯度变温合成CdSe量子点的方法及CdSe量子点，属于量子点制备技术领域。方法包括以下步骤：S1、将Cd源、Se源、配位溶剂和非配位溶剂混合，得到混合溶液；S2、将步骤S1的混合溶液升温至第一温度保温，然后降温至第二温度保温，得到含有量子点晶核的混合溶液；S3、将步骤S2的混合溶液升温至第三温度保温；S4、将步骤S3的混合溶液升温至第四温度保温，形成CdSe量子点；其中，第一温度和第二温度的温度差为10‑30℃。本发明通过控制成核温度和晶核熟化温度，使生长阶段的单体浓度始终维持在成核临界浓度以下、生长临界浓度以上，保证成核与生长过程分离开，以提高由晶核生长形成的量子点尺寸的均一性，制备得到的量子点半峰宽极窄。 | ||
| 搜索关键词： | 梯度 合成 cdse 量子 方法 | ||
【主权项】：
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