[发明专利]一种高纯、高致密度三氧化钼靶材的制备方法有效
| 申请号： | 202011165637.8 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN112359336B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 崔玉青;席莎;周莎;朱琦;张晓;杨秦莉;李晶 | 申请（专利权）人： | 金堆城钼业股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C04B35/495;C04B35/626;C04B35/645 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 涂秀清 |
| 地址： | 710077 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高纯、高致密度三氧化钼靶材的制备方法，具体按照如下步骤实施：步骤1，将钼酸铵进行焙解处理，得到高纯三氧化钼；步骤2，将步骤1得到的高纯三氧化钼粉末装入模具内，进行气氛保护热压处理，得到高致密度三氧化钼坯料；步骤3，将步骤2得到的高致密度三氧化钼坯料在空气氛马弗炉内进行二次补氧；步骤4，将经过二次补氧处理的坯料进行机械加工和清洗，最终得到高纯三氧化钼靶材。本发明一种高纯、高致密度三氧化钼靶材的制备方法，能获得高纯度以及高致密度的三氧化钼靶材。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 致密 氧化钼 制备 方法 | ||
【主权项】：
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