[发明专利]半导体器件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202011166437.4 申请日: 2020-10-27
公开(公告)号: CN112242305A 公开(公告)日: 2021-01-19
发明(设计)人: 高学;杜天伦 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种半导体器件及其制造方法,包括:基底;若干沟槽,形成于基底中;栅极结构,位于每个沟槽中,包括屏蔽栅多晶硅层、栅极多晶硅层、第一氧化层、第二氧化层及隔离侧墙,第一氧化层覆盖沟槽的内壁,屏蔽栅多晶硅层位于第一氧化层上并填充沟槽,第一氧化层的顶部低于沟槽的顶部,以使沟槽的侧壁与屏蔽栅多晶硅层之间形成第一开口,第二氧化层覆盖基底的表面及第一开口的内壁且显露出第一氧化层的顶部,栅极多晶硅层位于第一氧化层上并填充第一开口的部分深度,隔离侧墙位于栅极多晶硅层上并覆盖第一开口的侧壁上的第二氧化层。本发明改善了栅极氧化层的缺陷和离子注入工艺引起的半导体器件的阈值电压下降的问题。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
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