[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202011166437.4 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN112242305A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 高学;杜天伦 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，包括：基底；若干沟槽，形成于基底中；栅极结构，位于每个沟槽中，包括屏蔽栅多晶硅层、栅极多晶硅层、第一氧化层、第二氧化层及隔离侧墙，第一氧化层覆盖沟槽的内壁，屏蔽栅多晶硅层位于第一氧化层上并填充沟槽，第一氧化层的顶部低于沟槽的顶部，以使沟槽的侧壁与屏蔽栅多晶硅层之间形成第一开口，第二氧化层覆盖基底的表面及第一开口的内壁且显露出第一氧化层的顶部，栅极多晶硅层位于第一氧化层上并填充第一开口的部分深度，隔离侧墙位于栅极多晶硅层上并覆盖第一开口的侧壁上的第二氧化层。本发明改善了栅极氧化层的缺陷和离子注入工艺引起的半导体器件的阈值电压下降的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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