[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202011170199.4 | 申请日： | 2020-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN112750892A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 长谷川尚;小山威;加藤伸二郎;川端康平 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 邓毅;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置(100)具有：半导体衬底(1)；场效应晶体管(120)，其配置于半导体衬底(1)上，并且用于模拟电路，具备P型栅电极(7)；层间绝缘膜(8)，其配置于场效应晶体管(120)上；以及氢阻挡金属膜(10)，其在层间绝缘膜(8)上配置于P型栅电极(7)的上方附近，对氢进行阻挡。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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