[发明专利]功率器件的制作方法及器件有效
| 申请号： | 202011171861.8 | 申请日： | 2020-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN112289684B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 刘华明 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/265;H01L21/266;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种功率器件的制作方法及器件，该方法包括：在外延层上形成硬掩模层，该外延层形成于衬底上；对外延层的目标区域进行刻蚀，在元胞区域的外延层中形成器件沟槽，在保护环区域的外延层中形成第一保护环沟槽和第二保护环沟槽，第一保护环沟槽的宽度大于其深度，第一保护环沟槽的宽度大于器件沟槽的宽度，第一保护环沟槽的宽度大于第二保护环沟槽的宽度；进行离子注入，离子注入的角度为20°至50°，在第一保护环沟槽的底部和侧面形成掺杂阱区。本申请通过将第一保护环沟槽的宽度设置为大于其深度，将离子注入的角度设置为20°至50°，从而能够在第一保护环沟槽的底部和侧面形成保护环的同时，对器件沟槽底部和侧面的掺杂影响较小，从而实现了在同一工序步骤中形成不同于元胞区域的掺杂分布的保护环。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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