[发明专利]一种部分氧空位B3+

摘要

一种部分氧空位B3+掺杂玻璃态钾快离子导体K2O·4SiO2及其制备方法，其特征为：化学计量式为K2O·4Si1‑xBxO2‑0.5x，其中：x＝0.01‑0.10；采用无规K2O·4SiO2结构，使得钾离子在体系中各向同性传导；通过B3+掺杂获得部分氧空位，为钾离子传导提供新的传导路径，进一步降低了钾离子传导活化能，提升了钾离子活动能力及电导率，使得该钾快离子导体的常温锂离子电导率超过4·10‑4S/cm，使其能作为性能优异的钾快离子导体使用；同时通过高压条件的反应，抑制反应物的不均匀挥发从而导致产物的组分偏离。