[发明专利]钝化层测试结构有效
| 申请号： | 202011177837.5 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN112185839B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 蒙飞 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种钝化层测试结构。所述钝化层测试结构包括：衬底，所述衬底的至少一部分表面上形成有结构层，所述结构层包括多根导电线，所述导电线包括至少一个台阶型结构；所述衬底和所述结构层的表面形成有钝化层。本发明提供的所述钝化层测试结果通过提供一种台阶型的钝化层测试结构，有效地检测了钝化层的特殊位置，尤其是钝化层的拐角区域是否存在缺陷，从而检验了半导体器件中钝化层的完整性。与现有的钝化层测试结构相比，采用本发明提供的钝化层测试结构进行钝化层完整性测试的测试结果具有更高的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化 测试 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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