[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202011178660.0 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112928080A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 泷泽直树 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/13;H01L21/52 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 杨敏;周春燕 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，其维持能够保持一定散热性的焊锡厚度。具有金属基底板(30)和陶瓷电路基板(21)，金属基底板(30)在正面与中心线(CL)分离地设定有配置区，陶瓷电路基板(21)通过焊锡(25a、25b)设置于配置区。此时，焊锡(25a、25b)的远离该中心线(CL)的端部的厚度比靠近该中心线(CL)的端部的厚度厚。在焊锡(25a、25b)的外侧的区域，缩孔的产生得到了抑制。通过这样的制造方法，可抑制焊锡(25a、25b)的量的增加，并且也抑制焊锡(25a、25b)的热阻的增大，还可以防止半导体装置(10)的散热性的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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