[发明专利]一种电容器及其制造方法和DRAM在审
| 申请号： | 202011184374.5 | 申请日： | 2020-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN114420643A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 黄元泰;周娜;李俊杰;李琳;王佳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人： | 牛洪瑜 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电容器及其制造方法和DRAM，属于半导体技术领域，解决了现有接触孔的深度加深存在技术限制和宽度扩大会增大存储单元尺寸的问题。方法包括提供半导体衬底；在半导体衬底上方顺序形成刻蚀停止层和多个堆叠结构层，每个堆叠结构层包括模制层和模制层上方的支撑层；对刻蚀停止层和多个堆叠结构层进行刻蚀，以形成多个沟槽；在顶部堆叠结构层中的顶部支撑层和部分顶部模制层上形成顶部保护层；对多个沟槽中顶部堆叠结构层下方的各支撑层和刻蚀停止层的一部分进行回蚀，以使未被保护的各支撑层凹进，形成多个扩散沟槽；以及在多个扩大沟槽中沉积下部电极层。使未被保护的各支撑层凹进而形成扩大沟槽，进而增大相对表面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容器 及其 制造 方法 dram | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
