[发明专利]硅片处理设备在审
申请号: | 202011187197.6 | 申请日: | 2020-10-29 |
公开(公告)号: | CN112226745A | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 左国军;梁建军;杨虎;候岳明;朱海剑;柳昆鹏 | 申请(专利权)人: | 常州捷佳创精密机械有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/50;C23C16/54 |
代理公司: | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人: | 尚志峰;王淑梅 |
地址: | 213133 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种硅片处理设备,硅片处理设备包括:硅片加工组件,硅片加工组件上设置有输入端和输出端,输入端适于接收载板,输出端适于输出载板;载板传送组件,载板传送组件包括:导轨,导轨的两端分别与输入端和输出端相连接;传输装置,设置于导轨上,传输装置能够沿导轨运动,传输装置上设置有腔体;其中,输出端输出的载板存入腔体后,经传输装置将载板输送至输入端。通过设置由导轨和传输装置组成的载板传送组件,取缔了皮带输送机,一方面精简了硅片处理设备的结构,缩减载板传送组件所占空间。通过在传送装置上设置腔体,可以从密封结构上进一步精简硅片处理设备的结构。 | ||
搜索关键词: | 硅片 处理 设备 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的