[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202011188004.9 申请日: 2020-10-30
公开(公告)号: CN114447237A 公开(公告)日: 2022-05-06
发明(设计)人: 胡忠宇 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56;C09K11/02;C09K11/66;B82Y20/00;B82Y30/00
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 徐凯凯
地址: 516000 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种量子点发光二极管及其制备方法,其中,所述量子点发光二极管包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和所述阳极之间的量子点发光层,所述量子点发光层材料包括铅系量子点以及包覆在所述铅系量子点表面的嵌段聚合物。本发明通过引入一种嵌段聚合物对铅系量子点进行表面修饰改性,从而在铅系量子点的表面形成一层由所述嵌段聚合物组成的包覆层。所述嵌段聚合物一方面有利于铅系量子点的稳定性,减弱铅系量子点的团簇,降低铅系量子点之间的Dexter能量转移,减少能量的损耗;另一方面,所述嵌段聚合物的疏水性及其包覆层结构可以减弱水氧的侵蚀,对量子点发光二极管的发光效率和使用寿命均有提升。
搜索关键词: 一种 量子 发光二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
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