[发明专利]一种MOSFET扇出型封装结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202011188665.1 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112242370A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 周佳炜;徐德胜 | 申请（专利权）人： | 广东佛智芯微电子技术研究有限公司;广东芯华微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/31;H01L23/482;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 广州鼎贤知识产权代理有限公司 44502 | 代理人： | 刘莉梅 |
| 地址： | 528225 广东省佛山市南海区狮山镇*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种MOSFET扇出型封装结构及其制作方法，其中，MOSFET扇出型封装结构包括：第一塑封层，第一塑封层沿其厚度方向开设有通孔，通孔由上下两个小孔端相邻的锥形孔连通而成；封装于第一塑封层内的MOSFET，位于MOSFET一侧的第一I/O口和位于MOSFET另一侧的第二I/O口分别外露于第一塑封层；导电柱，填充于通孔内；第一电连接结构，位于第一塑封层的一侧并与导电柱的一端以及第一I/O口连接；第二电连接结构，位于第一塑封层的另一侧并与导电柱的另一端以及第二I/O口连接。本发明通过激光双面钻锥形孔并形成导电柱，从而将MOSFET背面的线路层引至正面，提高了MOSFET电气连接的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 扇出型 封装 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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