[发明专利]半导体结构的制作方法和半导体结构在审

专利信息
申请号: 202011198170.7 申请日: 2020-10-30
公开(公告)号: CN112309987A 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 邢庸宇 申请(专利权)人: 福建省晋华集成电路有限公司
主分类号: H01L21/8242 分类号: H01L21/8242;H01L27/108
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 霍文娟
地址: 362200 福建省泉州*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 本申请提供了一种半导体结构的制作方法和半导体结构,该半导体结构的制作方法包括:形成基底结构,基底结构包括衬底、源区和漏区,其中,源区和漏区间隔地设置在衬底中,衬底具有沟槽,沟槽位于相邻的源区和漏区之间;在衬底的裸露表面上以及沟槽的裸露表面上形成栅氧化层;在栅氧化层的裸露表面上形成第一氧化层,第一氧化层包括至少一个子氧化层;在剩余的沟槽中形成导电插塞。该方法形成了一种埋入式字符线结构,使得半导体结构的栅极具有至少一层子氧化层,保证了半导体结构的栅极的工作电压较低,从而使得栅感应漏极漏电流较小,有效地缓解了漏极漏电流现象,保证了半导体结构的可靠性较好。
搜索关键词: 半导体 结构 制作方法
【主权项】:
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