[发明专利]半导体结构的制作方法和半导体结构在审
申请号: | 202011198170.7 | 申请日: | 2020-10-30 |
公开(公告)号: | CN112309987A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 邢庸宇 | 申请(专利权)人: | 福建省晋华集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/8242 | 分类号: | H01L21/8242;H01L27/108 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 霍文娟 |
地址: | 362200 福建省泉州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本申请提供了一种半导体结构的制作方法和半导体结构,该半导体结构的制作方法包括:形成基底结构,基底结构包括衬底、源区和漏区,其中,源区和漏区间隔地设置在衬底中,衬底具有沟槽,沟槽位于相邻的源区和漏区之间;在衬底的裸露表面上以及沟槽的裸露表面上形成栅氧化层;在栅氧化层的裸露表面上形成第一氧化层,第一氧化层包括至少一个子氧化层;在剩余的沟槽中形成导电插塞。该方法形成了一种埋入式字符线结构,使得半导体结构的栅极具有至少一层子氧化层,保证了半导体结构的栅极的工作电压较低,从而使得栅感应漏极漏电流较小,有效地缓解了漏极漏电流现象,保证了半导体结构的可靠性较好。 | ||
搜索关键词: | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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