[发明专利]NOR flash单元制造方法

摘要

本发明公开了一种NOR flash单元制造方法，包括：在半导体衬底上形成第二导电类型掺杂阱区和栅；沉积氮化硅在栅两侧形成部分第一氮化硅侧墙，沉积氧化硅在所述部分第一氮化硅侧墙两侧形成第一氧化硅侧墙；第一氧化硅侧墙以及部分第一氮化硅侧墙形貌修整；沉积氮化硅覆盖栅和阱区，沉积氧化硅并进行形貌修整形成完整的第一氮化硅侧墙，并在完整的第一氮化硅侧墙两侧沉积形貌修整形成第二氧化硅侧墙，沉积氮化硅并进行形貌修整形成第二氮化硅侧墙；源漏第一导电类型离子注入和高温热退火；源漏第二导电类型离子注入；去除第二氮化硅侧墙，形成第一难熔硅化物掩蔽层；源漏第二导电类型高温热退火，形成第二难熔硅化物掩蔽层；接触孔刻蚀阻挡层形成。