[发明专利]LDMOS器件及工艺方法有效
| 申请号： | 202011202125.4 | 申请日： | 2020-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN112117332B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 许昭昭 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LDMOS器件，将漂移区和RESURF注入、体区注入放置在第一次栅极多晶硅刻蚀之后，利用多晶硅和栅介质层的阻挡作用，使得高能量的漂移区和低能量的漂移区注入在器件的整个漂移区形成横向上的非均匀分布，同时使得低能量的漂移区注入不进入到体区。通过以上的结构，可以使得器件的靠近源端的由体区和漂移区形成的结的掺杂分布更缓变，且同时保证器件的靠近漏端的漂移区掺杂浓度而使得器件的导通电阻不受影响，因此可以降低器件的衬底电流，改善器件的HCI效应。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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