[发明专利]一种面板结构及其电容区域结构的制备方法在审
申请号: | 202011215253.2 | 申请日: | 2020-11-04 |
公开(公告)号: | CN112466910A | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 潜垚;苏智昱;黄志杰;阮桑桑;陈宇怀;陈伟;王宏煜 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人: | 张明 |
地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及面板显示技术领域,特别涉及一种面板结构及其电容区域结构的制备方法,通过设置在第一栅极绝缘层上设置两个以上的第一开口,在第一开口中依次填充有第一半导体层和第一绝缘层且在第一绝缘层上设置两个以上的第二开口,在不增加光罩的前提下,改变电容器上下电极的材料,第一半导体层和第一透明导电层作为电容器的上下电极板,以达到增大电容有效面积的同时,减少电容所占平面面积,从而实现单位面积电容量的提升,有利于实现更高分辨率的OLED显示技术。 | ||
搜索关键词: | 一种 面板 结构 及其 电容 区域 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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